本發(fā)明提供一種利用新型化學(xué)改性手段制備高性能光電探測器的方法,步驟如下:1.將納米級厚度的過渡金屬硫?qū)倩衔镛D(zhuǎn)移到Si/SiO
2基底上;2.旋涂一層百納米級厚度的光刻膠層,后在烘膠臺上烘烤;3.運用電子束曝光的方法,曝光出電極圖形,經(jīng)顯影和定影后,在該器件上沉積金屬納米層;4.將上述器件浸泡丙酮中進行剝離,洗去殘留的丙酮,再將器件吹干;5.旋涂一層PMMA層;6.制備出具有長方形區(qū)域使器件溝道的一部分暴露;7.制備出CTAB溶液;8.將上述器件浸泡于CTAB溶液之中;本發(fā)明所制備的橫向勻質(zhì)p?n結(jié)具有良好的光電特性;所采用微納米加工制備光電探測
芯片單元,操作簡便,可控性強,重復(fù)性好。
聲明:
“利用新型化學(xué)改性手段制備高性能光電探測器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)