本發(fā)明公開一種直接探測(cè)中子的10BN材料的低氣壓化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法,以源加熱爐加熱生長(zhǎng)源,使其分解為氣態(tài)產(chǎn)物,以氬氣或者氮?dú)庾鳛闅鈶B(tài)產(chǎn)物的載氣,在混氣罐中混氣結(jié)束后通入剛玉管中進(jìn)行10BN薄膜的生長(zhǎng)。該生長(zhǎng)方法使用的生長(zhǎng)源為富集10B,使得生長(zhǎng)的10BN薄膜中有較好的10B豐度;該生長(zhǎng)方法的生長(zhǎng)源與載氣在混氣罐中混氣結(jié)束后通入反應(yīng)腔室,使得生長(zhǎng)源能和載氣均勻混合,能有效地提高10BN薄膜的生長(zhǎng)速率和質(zhì)量;該生長(zhǎng)方法利用加熱線圈加熱生長(zhǎng)源的傳輸路徑,以減少前驅(qū)體在傳輸過程中的損耗;該生長(zhǎng)方法利用雙溫區(qū)的高溫管式爐,使得溫度場(chǎng)更加穩(wěn)定。
聲明:
“直接探測(cè)中子的10BN材料的低氣壓化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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