用于將樣品曝露到高能輻射的緊湊、低功耗系統(tǒng)和方法,例如將樣品曝露到用于實(shí)現(xiàn)X射線吸收近邊緣分析(XANES)的X射線。該系統(tǒng)和方法包括一個(gè)低功耗的輻射源,例如一個(gè)X射線管;一個(gè)或多個(gè)用于對(duì)指向被分析樣品的輻射能量加以導(dǎo)向和改變的可調(diào)節(jié)晶體光學(xué)部件;以及一個(gè)用于探測(cè)由該樣品發(fā)射的輻射的輻射探測(cè)器件,例如一個(gè)X射線探測(cè)器。這一個(gè)或多個(gè)可調(diào)節(jié)晶體光學(xué)部件可以是雙重彎曲晶體光學(xué)部件。該系統(tǒng)的部件可以被排列在同一條直線上。所公開的系統(tǒng)和方法特別適用于XANES分析,例如生物過程中鉻或其他過渡金屬的化學(xué)狀態(tài)的分析。
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“實(shí)現(xiàn)XANES分析的方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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