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半導體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法

649 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 06:54:47

本發(fā)明提供了一種半導體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法，所述綜合分析方法包括：（Ⅰ）采用電測量分析方法對存在柵極硅氧化層失效的樣品進行失效定位；（Ⅱ）采用化學分析方法對樣品進行失效機理模型判斷，判斷確定柵極硅氧化層的失效原因是雜質污染，還是等離子體誘導損傷；（Ⅲ）如果失效機理模型是雜質污染，則采用飛行時間二次離子質譜對有柵極硅氧化層失效的樣品進行污染元素定性探查；隨后通過動態(tài)二次離子質譜對探查到的的污染元素進行精準定量測量。本發(fā)明采用更多的分析技術、儀器和方法聯(lián)合應用于失效分析，能夠快速準確地確定晶體管柵極硅氧化層的失效機理和模型，以便失效分析工程師提供更精準的分析報告。

聲明：

“半導體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)