本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體功率器件失效分析的失效點(diǎn)定位方法,包括以下步驟:利用化學(xué)腐蝕剝層技術(shù)對(duì)覆蓋在功率器件表面的金屬鋁層進(jìn)行化學(xué)腐蝕,將鋁層完全腐蝕去除,同時(shí)完整保留金屬鋁下層的阻擋層;利用微光顯微鏡和光束誘導(dǎo)電阻變化技術(shù)對(duì)功率器件進(jìn)行正面定位,模擬失效情況下的電性條件,以及使用點(diǎn)針的方法進(jìn)行加電,模擬電性條件,找出可能的失效點(diǎn);利用電子封裝組裝失效分析工具對(duì)之前步驟的定位結(jié)果進(jìn)行電子封裝組裝失效分析的物理驗(yàn)證,找出最終的物理失效點(diǎn)。本發(fā)明有以下優(yōu)點(diǎn):有效地對(duì)金屬鋁層進(jìn)行剝離,同時(shí)保持了阻擋層的完整性;極大地加快了半導(dǎo)體功率器件失效點(diǎn)定位工作的速度和效率,同時(shí)保持了很高的精度。
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“半導(dǎo)體功率器件失效分析的失效點(diǎn)定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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