本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光方法及化學(xué)機(jī)械拋光裝置,充分考慮了化學(xué)機(jī)械拋光裝置上的晶片載體隨著長(zhǎng)時(shí)間使用而導(dǎo)致的厚度變化對(duì)半導(dǎo)體晶片的拋光效果的影響,在設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)之前,先測(cè)量晶片載體的厚度,并計(jì)算出測(cè)得的晶片載體的厚度與待拋光的半導(dǎo)體晶片在完成拋光后的目標(biāo)厚度之間的差值(即晶片載體相對(duì)拋光后的半導(dǎo)體晶片的突出量或者拋光后的半導(dǎo)體晶片相對(duì)晶片載體的突出量),然后根據(jù)該差值設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù),當(dāng)采用這組與該差值相關(guān)的半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)對(duì)該半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光后,該半導(dǎo)體晶片最終拋光后的拋光面的平整度會(huì)增加,因而提高了拋光效果。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械拋光方法以及化學(xué)拋光系統(tǒng)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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