本發(fā)明公開了一種STI CMP工藝窗口確定方法,首先,在最佳估計的研磨時間上下遞增和遞減時間,記錄下氮化硅殘留的膜厚以及相對應(yīng)的時間;然后對所有的硅片進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察;接著,對所有無色差的硅片跳過氫氟酸腐蝕,直接用磷酸腐蝕,然后,對所有硅片進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察;最后將CMP研磨時間工藝窗口的低段和高段之間的氮化膜的差以及所對應(yīng)的研磨時間段確定為STI CMP工藝窗口。本發(fā)明可以有效而快速地建立起STI CMP研磨時間的工藝窗口,為后續(xù)優(yōu)化工藝,縮短開發(fā)時間,提高產(chǎn)品良品率奠定基礎(chǔ)。適用于半導(dǎo)體集成電路制造中的STI工藝。