本發(fā)明涉及大間距硅基三維結(jié)構(gòu)
電化學(xué)腐蝕的方法,該方法包括光刻硅片、配置腐蝕液、電化學(xué)腐蝕前的準(zhǔn)備、電化學(xué)腐蝕的實(shí)施和后處理步驟,其中:在光刻硅片時(shí)是利用光刻機(jī)和圖形掩模將硅片進(jìn)行光刻;配置負(fù)極腐蝕液時(shí),是在5~8M的KOH溶液中加入質(zhì)量濃度為99.7%的分析純異丙醇使之體積比為1∶(1.2~1.45),或?qū)①|(zhì)量濃度40%的氫氟酸、質(zhì)量濃度99.5%的二甲基甲酰胺和水混合使之體積比為(2.5~3.5)∶(14~18)∶1;組成正極的腐蝕液,是將質(zhì)量濃度96%的分析純NH4F、質(zhì)量濃度40%的HF和水混合,使之體積比為3∶6∶10。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單,容易實(shí)施,可獲得大間距硅基三維結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“大間距硅基三維結(jié)構(gòu)電化學(xué)腐蝕的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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