本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨方法,該方法包括以下步驟:提供多個具有相似或相同圖形的硅片,這些硅片均具有硅襯底和位于該硅襯底之上的待研磨層,使用化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備將待研磨層研磨至目標(biāo)位置,再進(jìn)行一定時間Top的過研磨,其中,使用終點檢測裝置來監(jiān)測研磨終點及監(jiān)測到該終點后發(fā)出開始所述過研磨的指示,并由該終點檢測裝置測得硅片被正常研磨時抵達(dá)所述終點所經(jīng)歷的平均研磨時間T1,其中,該方法還包括:當(dāng)多個硅片中的一個硅片被研磨至終點時所經(jīng)歷的實際研磨時間T小于T1的70%-85%時,將該硅片的過研磨時間Top延長至Top+(T1-T)。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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