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基于Ag@UiO-66-NH2/CsPbBr3的電致化學(xué)發(fā)光分子印跡傳感器及應(yīng)用

626   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:57:21
本發(fā)明公開了一種基于Ag+@UiO?66?NH2/CsPbBr3的電致化學(xué)發(fā)光分子印跡傳感器及在檢測呋喃西林(NFZ)中的應(yīng)用,屬于電致化學(xué)發(fā)光分子印跡傳感技術(shù)領(lǐng)域。鑒于待開發(fā)一種操作簡單、具有好的選擇性及高靈敏度的NFZ檢測方法,本發(fā)明首先提供了一種Ag+@UiO?66?NH2/CsPbBr3復(fù)合發(fā)光材料,然后在功能單體和NFZ存在的條件下電聚合得到MIP復(fù)合材料,最后除去模板分子制得電化學(xué)分子印跡材料。本發(fā)明制得的電化學(xué)分子印跡材料用于NFZ檢測,具有出色的靈敏性,構(gòu)建的電化學(xué)發(fā)光分子印跡傳感系統(tǒng)的光強(qiáng)信號(hào)在0.5nM?100μM中呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系,LOD值為0.09μM。
聲明:
“基于Ag@UiO-66-NH2/CsPbBr3的電致化學(xué)發(fā)光分子印跡傳感器及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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