本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光工藝中確定研磨時(shí)間的方法,該方法中所述研磨時(shí)間由自動(dòng)處理系統(tǒng)反饋給用于化學(xué)機(jī)械拋光的設(shè)備;所述自動(dòng)處理系統(tǒng)通過(guò)上述拋光設(shè)備最近若干批硅片的研磨參數(shù)來(lái)確定下一批硅片的研磨時(shí)間;所述研磨參數(shù)包括最近M批硅片各自的研磨時(shí)間、最近一次檢測(cè)到的研磨速率RT、及最近M批硅片的平均研磨速率RM;通過(guò)RT與RM的比值來(lái)修正研磨時(shí)間。本發(fā)明揭示的在化學(xué)機(jī)械拋光工藝中確定研磨時(shí)間的方法,考慮到了每天CMP機(jī)臺(tái)研磨速率的變化和差異,用修正系數(shù)RT/RM來(lái)修正研磨時(shí)間,這種方法確定的時(shí)間將更精確。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械拋光工藝中確定研磨時(shí)間的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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