本發(fā)明公開了一種銅化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的過(guò)程控制方法,在樣品晶圓中設(shè)置有多條平行銅金屬線組成的檢測(cè)區(qū)域,在CMP之前和之后分別測(cè)量當(dāng)前批次晶圓中樣品晶圓的監(jiān)控區(qū)域中銅金屬線的厚度,根據(jù)兩者差值計(jì)算樣品晶圓的平均材料移除率;將計(jì)算得到的材料移除率與目標(biāo)材料移除率相比較,確定時(shí)間的補(bǔ)償值;根據(jù)所述時(shí)間補(bǔ)償值調(diào)整銅化學(xué)機(jī)械拋光的時(shí)間長(zhǎng)度,并用調(diào)整后的時(shí)間長(zhǎng)度對(duì)下一批次的晶圓進(jìn)行CMP處理。本發(fā)明還公開了一種銅化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程控制系統(tǒng)。本發(fā)明方案可以極大提高厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性,使時(shí)間長(zhǎng)度的調(diào)整更為準(zhǔn)確。
聲明:
“銅化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程控制方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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