本發(fā)明提供制造半導(dǎo)體器件的化學(xué)汽相淀積 (CVD)裝置, 包括 : 處理室; 為處理室供應(yīng)處理氣體的處理氣體供 應(yīng)管線; 廢氣排放管, 用于在處理后將處理室內(nèi)的廢氣排放出去 清洗氣體供應(yīng)管線, 用于向處理室內(nèi)供應(yīng)ClF3氣體; 取樣歧管, 用于利用壓力差從處理室內(nèi)提取氣體樣品; 及QGA-QMS, 用于分析取樣氣樣, 并利用上述RGA-QMS通過分析, 根據(jù)處理室內(nèi)的氣體流量、壓力和溫度優(yōu)化結(jié)束點(diǎn)。
聲明:
“制造半導(dǎo)體器件的化學(xué)汽相淀積裝置及其驅(qū)動(dòng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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