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基于磁控MoS2納米片的免標(biāo)記電化學(xué)適配體傳感平臺(tái)的構(gòu)建方法

1095   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:57:24
本發(fā)明屬于納米材料制備和電化學(xué)傳感技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種基于磁控MoS2納米片的免標(biāo)記電化學(xué)適配體傳感平臺(tái)的構(gòu)建方法。具體方法為:第一步:制備Fe3O4納米球;第二步制備Fe3O4@MoS2復(fù)合材料;第三步準(zhǔn)備磁性玻碳電極(MGCE),將復(fù)合材料修飾在電極表面,第四步將適配體修飾在Fe3O4@MoS2/MGCE表面,構(gòu)建傳感平臺(tái)檢測毒素。本發(fā)明提供的制備方法簡單易操作、成本低、產(chǎn)物易于通過磁控分離,電極修飾過程簡單免標(biāo)記,材料不會(huì)從磁性電極表面脫落,并且負(fù)載適配體能力強(qiáng)。本發(fā)明與傳統(tǒng)的黃曲霉毒素B1檢測方法相比,具有響應(yīng)速度快、檢出限低、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“基于磁控MoS2納米片的免標(biāo)記電化學(xué)適配體傳感平臺(tái)的構(gòu)建方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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