本發(fā)明提供了一種形成填充有金屬的溝槽結(jié)構(gòu)的方法,該方法包括:提供一半導(dǎo)體襯底,在半導(dǎo)體襯底上依次沉積形成刻蝕終止層、第二絕緣層和第一絕緣層;在第一絕緣層的表面涂布光阻膠層,并曝光顯影圖案化所述光阻膠層,圖案化光阻膠層的開口用于定義溝槽的位置;以所述圖案化的光阻膠層為掩膜,對(duì)第一絕緣層和第二絕緣層依次進(jìn)行刻蝕,在刻蝕終止層停止刻蝕,形成溝槽;在所述溝槽內(nèi)填充金屬,所述金屬的高度高于所述第一絕緣層的高度。本發(fā)明還提供了一種根據(jù)上述方法形成的溝槽結(jié)構(gòu),以及適用于該溝槽結(jié)構(gòu)的化學(xué)機(jī)械研磨方法。本發(fā)明在化學(xué)機(jī)械研磨過程中提高了晶片與晶片間的金屬方塊電阻均勻性。
聲明:
“填充有金屬的溝槽結(jié)構(gòu)及形成方法及化學(xué)機(jī)械研磨方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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