在化學(xué)機械拋光裝置及其控制方法中,根據(jù)待拋光層的拋光工藝制程制備有關(guān)終點檢測部件的檢測光量的待拋光層的初始厚度表。輸入層的拋光工藝制程,并通過將光投射到半導(dǎo)體晶片上,使用終點檢測部件檢測由層反射的光量。拋光工藝之前參考有關(guān)檢測光量的層的初始厚度表計算層的厚度作為檢測到的光量。拋光到需要的厚度之前,由計算的厚度計算拋光時間。拋光待拋光的層的同時,通過減小計算的拋光時間來檢測終點。然后,當(dāng)檢測到終點時,終止拋光工藝。通過僅將程序添加到常規(guī)的CMP裝置的控制器,可以精確地控制拋光終點,并且可以提高操作條件和效率。
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