本發(fā)明公開(kāi)了一種提高化學(xué)機(jī)械研磨良率的方法,包括步驟:步驟一、對(duì)
芯片版圖進(jìn)行網(wǎng)格劃分形成多個(gè)版圖窗格,提取版圖窗格內(nèi)的特征參數(shù);步驟二、分析版圖窗格內(nèi)的特征參數(shù)和化學(xué)機(jī)械研磨后在晶圓上對(duì)應(yīng)的晶圓窗格的區(qū)域內(nèi)平均表面高度的關(guān)系并選出最相關(guān)特征參數(shù);步驟三、在芯片版圖上,根據(jù)最相關(guān)特征參數(shù),找出化學(xué)機(jī)械研磨后的熱點(diǎn)區(qū)域;步驟四、在芯片版圖上對(duì)熱點(diǎn)區(qū)域的版圖圖形進(jìn)行修改,以消除熱點(diǎn)。本發(fā)明能降低提高化學(xué)機(jī)械研磨良率所需要的工藝復(fù)雜度和成本。
聲明:
“提高化學(xué)機(jī)械研磨良率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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