一種半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法，所述檢測結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)，所述N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)之間具有耗盡區(qū)；位于所述半導(dǎo)體襯底表面的層間介質(zhì)層，位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)且電學(xué)隔離的待檢測互連結(jié)構(gòu)和輔助互連結(jié)構(gòu)，所述待檢測互連結(jié)構(gòu)與所述P型摻雜區(qū)電學(xué)連接，所述輔助互連結(jié)構(gòu)與所述N型摻雜區(qū)電學(xué)連接，所述待檢測互連結(jié)構(gòu)和輔助互連結(jié)構(gòu)都至少包括兩層層間金屬層和位于相鄰層間金屬層之間的導(dǎo)電插塞，且所述待檢測互連結(jié)構(gòu)和輔助互連結(jié)構(gòu)的層間金屬層的層數(shù)相同。通過檢測出不同層的層間金屬層的電阻，就能判斷待檢測互連結(jié)構(gòu)是否因為光致電化學(xué)腐蝕存在缺陷，簡單方便。