本申請公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨方法及裝置,該方法和裝置通過設(shè)置與研磨平臺(tái)相連的拋光速率檢測系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測晶片的當(dāng)前拋光速率并與設(shè)定的目標(biāo)拋光速率比較,根據(jù)比較結(jié)果向排氣系統(tǒng)發(fā)送相應(yīng)信號(hào)反饋,控制排氣系統(tǒng)增大或減小排氣管道內(nèi)的氣體壓強(qiáng),改變當(dāng)前的拋光速率直到與目標(biāo)拋光速率一致,從而保持化學(xué)機(jī)械研磨過程中拋光速率的穩(wěn)定性。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)