該發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體制備裝置和具有其的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備,所述半導(dǎo)體制備裝置包括容納部,所述容納部適于放置晶圓,非光學(xué)物體偵測裝置,以用于偵測所述容納部內(nèi)是否設(shè)有晶圓,所述非光學(xué)物體偵測裝置設(shè)在所述容納部上,且所述非光學(xué)物體偵測裝置與晶圓位于所述容納部內(nèi)時的晶圓所在位置對應(yīng)設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體制備裝置,在對容納部內(nèi)的晶圓進(jìn)行偵測時,晶圓的表面不會形成氧化銅,避免了由于光電反應(yīng)造成的氧化銅殘留問題,從而有利于晶圓的WAT和CP檢測,提高晶圓良率。
聲明:
“半導(dǎo)體制備裝置和具有其的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)