本發(fā)明公開了一種自動(dòng)調(diào)節(jié)化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備硅片研磨壓力的方法,使用化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對硅片研磨,在該化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的HCLU內(nèi)加裝壓力感應(yīng)傳感器,然后循環(huán)執(zhí)行以下步驟:在該化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備上安裝新的固定環(huán),重新設(shè)定固定環(huán)厚度值,將研磨頭轉(zhuǎn)到HCLU正上方,測量新的固定環(huán)上的壓力值并自動(dòng)記錄,化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備開始研磨作業(yè),當(dāng)研磨頭轉(zhuǎn)到HCLU時(shí),在卸下硅片的同時(shí)測量固定環(huán)的厚度,根據(jù)該厚度差計(jì)算研磨時(shí)的壓力補(bǔ)償值并進(jìn)行調(diào)整,當(dāng)固定環(huán)的厚度變薄時(shí),應(yīng)當(dāng)適當(dāng)調(diào)低對固定環(huán)的壓力,使硅片周邊的研磨速率保持不變,再進(jìn)行下一次硅片研磨作業(yè)。本發(fā)明可調(diào)整研磨時(shí)RETAINER RING的壓力輸出,提高了CMP工藝的硅片周邊的殘膜厚度的穩(wěn)定性。