本發(fā)明提供一種化學機械研磨方法,包括以下步驟:獲得形成所述溝槽所使用的光掩膜版的光刻透光率TR以得到所述介質層的圖案密度PD;基于所述光掩膜版的光刻透光率TR獲得化學機械研磨的第一研磨階段的粗磨終點預測值K;根據(jù)所述終點預測值K,于化學機械研磨機臺的菜單中設定第一研磨階段的粗磨終點值,并進行研磨;粗磨至設定值,終止第一研磨階段,開始第二研磨階段。本發(fā)明的化學機械研磨方法能夠簡化尋找試樣導電去除層的第一研磨階段的粗磨終點的步驟,縮短尋找時間,減少了試作風險,改善了介質層的圖案密度PD差異引起的良率問題。
聲明:
“化學機械研磨方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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