本發(fā)明公開了一種含噻吩基單核釕配合物的電聚合薄膜的制備方法及其
電化學(xué)和光電化學(xué)的性質(zhì),采用簡單的電化學(xué)的方法使單核釕配合物在ITO電極上形成聚合物薄膜,對薄膜的電化學(xué)的性質(zhì)測試顯示,該聚合物聚合20圈薄膜在水溶液中具有很好的穩(wěn)定性,對薄膜進行的光電性能測試結(jié)果顯示,在負偏壓部分,所加偏壓越負,該薄膜的光電流越大,當偏壓為0V時也表現(xiàn)出了相當大的光電流,隨著偏壓繼續(xù)增加,光電流的變化幅度明顯小于在負偏壓時的光電流大小,表現(xiàn)出了很好的整流性質(zhì)。因此,本發(fā)明中的含噻吩基的單核釕配合物電聚合薄膜在能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“含噻吩基單核釕配合物電聚合薄膜的制備方法和光電化學(xué)性質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)