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含噻吩基單核釕配合物電聚合薄膜的制備方法和光電化學(xué)性質(zhì)

720   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:00:52
本發(fā)明公開了一種含噻吩基單核釕配合物的電聚合薄膜的制備方法及其電化學(xué)和光電化學(xué)的性質(zhì),采用簡單的電化學(xué)的方法使單核釕配合物在ITO電極上形成聚合物薄膜,對薄膜的電化學(xué)的性質(zhì)測試顯示,該聚合物聚合20圈薄膜在水溶液中具有很好的穩(wěn)定性,對薄膜進行的光電性能測試結(jié)果顯示,在負偏壓部分,所加偏壓越負,該薄膜的光電流越大,當偏壓為0V時也表現(xiàn)出了相當大的光電流,隨著偏壓繼續(xù)增加,光電流的變化幅度明顯小于在負偏壓時的光電流大小,表現(xiàn)出了很好的整流性質(zhì)。因此,本發(fā)明中的含噻吩基的單核釕配合物電聚合薄膜在能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“含噻吩基單核釕配合物電聚合薄膜的制備方法和光電化學(xué)性質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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