本發(fā)明公開了一種化學機械研磨工藝建模的實驗方法和測試方法,屬于集成電路制造工藝和版圖設計技術(shù)領域。所述方法包括:金屬沉積、CMP第1步、CMP第2步和CMP第3步。測試方法分為2大類,在金屬沉積、CMP第1步和CMP第2步工藝后分別使用原子力顯微鏡測量表面起伏和用掃描電子顯微鏡測量橫截面的厚度,在CMP第3步工藝后,除了使用以上的兩種測試方法,還增加電阻和電容測量。本發(fā)明提供了完整的化學機械研磨工藝建模的實驗方法和測試方法,一次流片獲得的測量數(shù)據(jù)就可以完成建模提參、驗證和真實產(chǎn)品設計測試驗證所需要的數(shù)據(jù),在完成本發(fā)明的流程后,模型完全可以交付給工廠使用,大大降低了建模成本,減少了建模時間。
聲明:
“化學機械研磨工藝建模的實驗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)