本發(fā)明涉及屬于硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種
太陽能硅片清洗后表面殘留物的檢測(cè)方法。所述檢測(cè)方法包括以下步驟:將水溶性熒光粉添加至硅片清洗液中,硅片經(jīng)超聲波清洗和漂洗后,對(duì)待檢硅片或水樣濾紙進(jìn)行紫外光譜分析,比對(duì)判斷后記錄分析結(jié)果。本發(fā)明在硅片浸泡式濕式化學(xué)清洗法中,創(chuàng)造性地引入熒光檢測(cè),能夠以肉眼簡(jiǎn)便快捷而又直觀的看到硅片清洗殘留情況,來檢測(cè)硅片的清洗效果,避免因硅片表面潔凈度不良而影響后續(xù)制絨效果及影響光電轉(zhuǎn)換效率等問題。該方法對(duì)硅片沒有二次污染,而且又能夠快速準(zhǔn)確檢測(cè)他物殘留。
聲明:
“太陽能硅片清洗后表面殘留物的檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)