本發(fā)明涉及提高
電化學(xué)晶體管傳感器的抗干擾性能的方法,所述電化學(xué)晶體管傳感器包括源極、漏極和柵極,源極、漏極之間為該電化學(xué)晶體管傳感器溝道,其特征在于在溝道上設(shè)有Nafion薄膜保護(hù)層和/或聚糖薄膜保護(hù)層,或者在柵極外面套設(shè)下端帶有微孔陶瓷的砂芯玻璃管,將溝道或柵極分離以屏蔽電化學(xué)晶體管傳感器對(duì)干擾物質(zhì)的響應(yīng)。本發(fā)明涉及的電化學(xué)晶體管傳感器的優(yōu)化方法具有在不影響器件對(duì)待測(cè)物質(zhì)的響應(yīng)的同時(shí)屏蔽掉干擾物質(zhì)的響應(yīng)的特點(diǎn)。
聲明:
“抗干擾性能的電化學(xué)晶體管傳感器及其抗干擾方法、應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)