本發(fā)明提供了一種鍺的化學(xué)機(jī)械拋光方法,該方法包括以下步驟:a.提供待拋光的晶圓,該晶圓具有生長(zhǎng)完成的鍺溝槽,鍺溝槽之間為測(cè)量隔離區(qū);b.確認(rèn)鍺溝槽與測(cè)量隔離區(qū)齊平的最低圖形密度ρ;c.在晶圓上圖形密度小于等于ρ的鍺溝槽上涂覆光刻膠;d.對(duì)未被光刻膠覆蓋的區(qū)域進(jìn)行離子注入處理;e.去除光刻膠;f.對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。本發(fā)明在完成外延生長(zhǎng)單晶Ge溝槽后,選擇性的對(duì)高密度圖形區(qū)的凸起Ge溝道進(jìn)行離子注入,然后再進(jìn)行Ge的CMP,提高CMP過(guò)程中對(duì)高密度去凸出部分的材料移除速率。這樣可以避免因圖形密度不同而造成Ge材料移除速率的差異,從而改善Ge溝道CMP后的局部均勻性。
聲明:
“鍺的化學(xué)機(jī)械拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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