本申請公開了一種原位太赫茲波譜
電化學裝置及其制備方法,該裝置由鐵磁薄膜和非鐵磁薄膜構成太赫茲波發(fā)射器,通過飛秒激光泵浦鐵磁薄膜產(chǎn)生超快自旋流,由于鐵磁薄膜和非鐵磁薄膜界面處的逆自旋霍爾效應,使得鐵磁薄膜的自旋流轉變?yōu)榉氰F磁薄膜的瞬變電荷流,從而在所述非鐵磁薄膜一側輻射出太赫茲波,產(chǎn)生的太赫茲波通過電催化劑層、
電解液和對電極后入射到所述太赫茲波探測器中,實現(xiàn)了針對材料電導和載流子的一種亞皮秒時間分辨率的非接觸的原位探測,除此之外,該裝置還可用于研究太赫茲波對電化學過程的影響。該裝置利用太赫茲波發(fā)射器將飛秒激光轉換為太赫茲波,無需外加太赫茲波光源,具有結構以及制備工藝簡單的優(yōu)點。
聲明:
“原位太赫茲波譜電化學裝置及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)