本發(fā)明公開了一種提高等離子體輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備性能的方法，其中，包括以下步驟：在一設(shè)置多個(gè)電阻感應(yīng)器的等離子體輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室中，淀積不同厚度的薄膜于所述反應(yīng)腔室內(nèi)壁，并且計(jì)算出電阻與所述薄膜厚度的變化關(guān)系；感應(yīng)測(cè)試出所述腔室內(nèi)壁淀積薄膜厚度為T時(shí)的電阻值R，比較R與所述反應(yīng)腔室沒有薄膜時(shí)的電阻值R0和所述反應(yīng)腔室內(nèi)淀積臨界厚度薄膜Tm時(shí)的電阻值RM；當(dāng)R≤RM時(shí)，所述電阻感應(yīng)器觸發(fā)所述PEVCD設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行清洗；當(dāng)R=R0時(shí)，所述PEVCD設(shè)備停止清洗。本發(fā)明能夠精確計(jì)算出清洗該薄膜所需要的時(shí)間，提高設(shè)備的生成效率以及減小由內(nèi)腔壁清洗不干凈而導(dǎo)致的薄膜剝離污染。