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利用模板電化學合成技術制備多層納米線的方法

733 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:03:20

本發(fā)明涉及利用模板電化學合成技術制備多層納米線的方法；采用三個電鍍槽，利用三電極體系進行控電位沉積；先將二次陽極氧化鋁膜電極置于NiFe電鍍槽中，控電位沉積NiFe合金，經(jīng)超聲清洗，快速轉換至Cu電鍍槽中，控電位沉積Cu，后經(jīng)超聲清洗，快速轉換至Co電鍍槽中，控電位沉積Co，然后經(jīng)超聲清洗，快速轉換至Cu電鍍槽中，控電位沉積Cu，為1個周期，如此重復，獲得NiFe/Cu/Co/Cu多層納米線。利用本發(fā)明方法制備的NiFe/Cu/Co/Cu自旋閥多層納米線的巨磁電阻(GMR)效應，可制作高密度磁隨機存儲器、巨磁電阻讀出磁頭、高靈敏度磁傳感器等，在信息存儲、自動測量等領域有著廣闊的應用前景。

聲明：

“利用模板電化學合成技術制備多層納米線的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)