提供了與用于分析物檢測(cè)和測(cè)量的大規(guī)模FET陣列有關(guān)的方法和裝置?;诟倪M(jìn)的FET像素和陣列設(shè)計(jì),使用常規(guī)CMOS加工技術(shù),可以制造chemFET(例如,ISFET)陣列,其會(huì)增加測(cè)量靈敏度和準(zhǔn)確度,并同時(shí)促進(jìn)明顯小的像素尺寸和密集的陣列。改進(jìn)的陣列控制技術(shù)會(huì)提供從大和密集陣列快速獲取數(shù)據(jù)。這樣的陣列可以用于檢測(cè)在多種化學(xué)和/或生物過(guò)程中的不同分析物類型的存在和/或濃度變化。
聲明:
“使用FET陣列檢測(cè)分子相互作用的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)