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基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測(cè)裝置及其使用方法

1103   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:06:45
本發(fā)明提供一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測(cè)裝置及其使用方法,包括樣品池框架及固定于樣品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱鏡、所述樣品池框架中部具有鏤空部,三棱柱形高阻硅棱鏡的底面與鏤空部形成放置分辨物體的樣品池腔室,所述鏤空部的上表面可拆連接有樣品池蓋,利用上述裝置能夠通過(guò)利用太赫茲波在高阻硅棱鏡內(nèi)部發(fā)生衰減全反射,而后在棱鏡底部形成倏逝波與樣品進(jìn)行反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)含水、粉末狀樣品的太赫茲光譜檢測(cè),其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、方便調(diào)試。應(yīng)用基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測(cè)裝置,在分辨物體的組成成分,分析物體的物理化學(xué)性質(zhì)方面具有潛在的工程應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測(cè)裝置及其使用方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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