本發(fā)明涉及一種用于在磁共振光譜學或磁共振成像中接通局部飽和脈沖的方法,其中在飽和脈沖期間接通磁場梯度,該方法包括步驟:確定檢查區(qū)域;確定飽和脈沖相對于該檢查區(qū)域的位置;確定待飽和信號的頻譜位置;根據(jù)飽和脈沖相對于檢查區(qū)域的位置以及待飽和信號的頻譜位置選擇磁場梯度。
聲明:
“用于根據(jù)位置最小化化學偏移偽影的局部飽和脈沖” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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