3N4納米片在檢測VB12中的應(yīng)用,化學(xué)分析"> 3N4納米片在檢測VB12中的應(yīng)用,本發(fā)明公開了g?C3N4納米片在檢測VB12中的應(yīng)用,采用電化學(xué)發(fā)光法檢測VB12,所述g?C3N4納米片作為電化學(xué)發(fā)光試劑;并公開了一種電化學(xué)發(fā)光法檢測VB12的方法。當(dāng)VB12的濃度在0.01?105umol/L時逐漸增大時,g?C3N4納米片/K2S2O8體系的ECL強度與VB12的濃度成線性關(guān)系,最低檢測線為1.2nmol/L。與現(xiàn)有VB12檢測方法相比,本發(fā)明的檢測方法操作過程簡單方便,靈敏度高。">

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g-C3N4納米片在檢測VB12中的應(yīng)用

1038   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:08:34
本發(fā)明公開了g?C3N4納米片在檢測VB12中的應(yīng)用,采用電化學(xué)發(fā)光法檢測VB12,所述g?C3N4納米片作為電化學(xué)發(fā)光試劑;并公開了一種電化學(xué)發(fā)光法檢測VB12的方法。當(dāng)VB12的濃度在0.01?105umol/L時逐漸增大時,g?C3N4納米片/K2S2O8體系的ECL強度與VB12的濃度成線性關(guān)系,最低檢測線為1.2nmol/L。與現(xiàn)有VB12檢測方法相比,本發(fā)明的檢測方法操作過程簡單方便,靈敏度高。
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“g-C3N4納米片在檢測VB12中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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