一種CMP漿料,所述CMP漿料包括:載體;在所述載體內(nèi)的微粒材料,其包括氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金剛石或其任何組合;氧化劑,其包括選自過氧化物、過硫酸鹽、高錳酸鹽、高碘酸鹽、高氯酸鹽、次氯酸鹽、碘酸鹽、過氧單硫酸鹽、硝酸鈰銨、高碘酸、鐵氰化物或其任何組合的組的至少一種材料;并且根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化拋光測試,材料去除率指數(shù)(MRR)為至少500納米/小時(shí)且平均粗糙度指數(shù)(Ra)不大于5埃。
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“化學(xué)機(jī)械平坦化漿料及其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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