本發(fā)明涉及聚吡咯包覆鈷酸鎳納米線陣列
石墨烯電極的制備方法及檢測重金屬鉛離子的應(yīng)用。先利用水熱釜進行氧化石墨烯的水熱反應(yīng),得到具有三維結(jié)構(gòu)的3D石墨烯電極,而后利用第二次水熱過程,在3D石墨烯電極表面生長NiCo2O4納米線陣列。使用化學(xué)氣相聚合的方法在NiCo2O4納米線陣列表面包覆一層極薄的導(dǎo)電聚合物聚吡咯層;得到最終的聚吡咯包覆NiCo2O4納米線陣列石墨烯電極,電極用于重金屬Pb2+的檢測?;贜iCo2O4@PPy/3D石墨烯構(gòu)建的傳感器靈敏度為115.621μA?μM?1,線性范圍為0.0125to?0.709μM,最低檢測限為0.2nM,傳感器具有良好的抗干擾性和穩(wěn)定性。
聲明:
“聚吡咯包覆鈷酸鎳納米線陣列石墨烯電極的制備方法及檢測重金屬鉛離子的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)