本發(fā)明涉及一種衰減全反射表面增強紅外基底制備方法,以及利用該基底進(jìn)行檢測的方法,屬于光譜檢測技術(shù)領(lǐng)域;現(xiàn)有技術(shù)的檢測方法精準(zhǔn)度不高,本發(fā)明提供的基底及檢測方法,在
電化學(xué)池的底部形成金屬薄膜電極,在底部的另一側(cè)上生長納米柱陣列,再將半球形透鏡固定于納米柱陣列固定于電化學(xué)池的底部生長有納米柱陣列一側(cè),提高了檢測精度。
聲明:
“表面增強紅外基底制備及納米柱陣列偏離角檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)