本發(fā)明涉及硅晶體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種硅晶體缺陷檢測方法,包括以下步驟,提供測試樣品;切割并研磨測試樣品;化學(xué)拋光:采用混合酸配制的拋光液對測試樣品表面進(jìn)行拋光;化學(xué)腐蝕:采用腐蝕液對測試樣品表面進(jìn)行腐蝕,經(jīng)過13?18min硅晶體的缺陷顯露出來。采用上述方法后,本發(fā)明可以有效檢測硅晶體中邊緣不純、高不純度、位錯等缺陷,極大的提升了
電池片的發(fā)電效率;增加了電池組件的使用壽命,提升了
光伏發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
聲明:
“硅晶體缺陷檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)