本發(fā)明提供一種淺溝道隔離結(jié)構(gòu)中的孔洞缺陷的檢測方法,包括:提供一襯底,所述襯底中形成有淺溝道隔離結(jié)構(gòu),所述襯底上形成有
多晶硅層;刻蝕所述多晶硅層以形成第一溝槽;形成鍺硅結(jié)構(gòu),同時(shí),所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)中形成孔洞缺陷;在所述多晶硅層上形成一介質(zhì)層,并通過化學(xué)機(jī)械研磨、刻蝕、濕法清洗工藝去除介質(zhì)層、多晶硅層、部分厚度的襯底以及部分淺溝道隔離結(jié)構(gòu)以露出所述孔洞缺陷,并對所述孔洞缺陷進(jìn)行檢測。在所述多晶硅層上形成介質(zhì)層,并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝,減小了去除所述多晶硅層對所述襯底的壓應(yīng)力,避免所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)中的所述孔洞缺陷遭受擠壓,使得該孔洞缺陷的形貌保持完整,保證了該孔洞缺陷后續(xù)能夠完整地得到檢測。
聲明:
“淺溝道隔離結(jié)構(gòu)中的孔洞缺陷的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)