本發(fā)明公開了一種硅納米線
芯片及基于硅納米線芯片的質(zhì)譜檢測方法,檢測方法,包括如下步驟:步驟一,制造硅納米線芯片;將單晶硅片經(jīng)表面洗滌預處理后經(jīng)過金屬輔助刻蝕、堿后刻蝕得到具有尖端的硅納米線芯片;對硅納米線芯片進行表面化學或
納米材料修飾;步驟二,硅納米線芯片質(zhì)譜性能評估;步驟三,頂端接觸取樣及原位離子化質(zhì)譜檢測;本發(fā)明充分利用硅納米線芯片的納米結(jié)構特性和半導體特性,將接觸式萃取轉(zhuǎn)印和免基質(zhì)質(zhì)譜檢測集合于一體,大大簡化了復雜樣本的采集、預處理和檢測過程;本發(fā)明制造出的硅納米線芯片能夠同時具備吸附、萃取功能與質(zhì)譜檢測功能,還能保留有空間異質(zhì)性的樣本的原位信息。
聲明:
“硅納米線芯片及基于硅納米線芯片的質(zhì)譜檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)