本發(fā)明提供一種CVD單晶金剛石位錯(cuò)密度的檢測(cè)方法,包括單晶金剛石待測(cè)表面的研磨拋光和清洗,并通過化學(xué)腐蝕去除晶體表面機(jī)械損傷層,然后采用離子刻蝕的方法在單晶金剛石的待測(cè)表面形成位錯(cuò)蝕坑,對(duì)待測(cè)表面取樣并對(duì)表面形貌進(jìn)行檢測(cè),統(tǒng)計(jì)取樣面積內(nèi)位錯(cuò)蝕坑數(shù)量,最后計(jì)算得到單晶金剛石的位錯(cuò)密度,采用該方法可準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)CVD單晶金剛石{100}或{111}晶面位錯(cuò)密度的檢測(cè)。
聲明:
“CVD單晶金剛石位錯(cuò)密度的檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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