本發(fā)明提供了一種金納米刺拉曼增強檢測
芯片的制備方法,其包括:準備表面干凈的芯片基底;采用離子濺射的方法在芯片基底的表面噴鍍一層鉑顆粒;在芯片基底上滴加硝酸銀溶液和氯金酸溶液,再滴加雙氧水進行還原;步驟S3的反應完成后,采用去離子進行沖洗芯片,即得到金納米刺拉曼增強檢測芯片。采用本發(fā)明的技術方案,利用離子濺射和原位化學生長制備出金納米刺拉曼增強檢測芯片,方法簡單,制備周期短,無表面活性劑的影響;使用的設備簡單,操作方便,可以大批量制備SERS芯片,而且可以在任意基底上制備金納米刺,可以廣泛應用于生物傳感、物質痕量檢測等領域。
聲明:
“金納米刺拉曼增強檢測芯片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)