一種用于毒死蜱檢測(cè)的印跡薄膜修飾電極的制備,包括以TEOS為交聯(lián)劑,殼聚糖或APTS為功能單體,毒死蜱為模板分子水解縮合形成溶膠凝膠,在石墨電極表面形成薄膜。其制備過程分為四步:(1)未修飾聚合物薄膜石墨電極的制備;(2)印跡毒死蜱分子的SiO2?殼聚糖溶膠的制備;(3)毒死蜱分子的SiO2?殼聚糖凝膠薄膜修飾電極的制備;(4)印跡類目標(biāo)分子的洗脫。制備的薄膜修飾電極在保留了石墨電極
電化學(xué)性能同時(shí),循環(huán)伏安曲線中氧化峰的峰電流信號(hào)增大,此發(fā)明的制備過程簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉,將分子印跡的特異性識(shí)別與傳感器的電化學(xué)信號(hào)的高靈敏性相結(jié)合,彌補(bǔ)了電化學(xué)難以進(jìn)行特異性識(shí)別和分子印跡特異性識(shí)別表現(xiàn)不明顯的缺陷。
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“用于毒死蜱檢測(cè)的印跡薄膜修飾電極的制備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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