本發(fā)明涉及一種檢測氧化堆垛層錯的方法,所屬硅片檢測技術領域,包括先對硅片進行退火處理,硅片的氧化退火在氧化退火爐上進行,將硅片置于碳化硅舟上,在750℃下碳化硅舟進入,在1100℃溫度下,通入氧氣和氫氣合成的高溫水汽。經過一小時化學反應后,降溫碳化硅舟推出,冷卻至室溫后取下硅片。將硅片使用X射線形貌術進行氧化堆垛層錯測試。硅片退火后,使用X射線形貌術測量得到的形貌圖中若顯示實心圓狀或環(huán)狀深灰色陰影,即代表此處有氧化堆垛層錯存在。具有穩(wěn)定性好、無損傷和無污染的特點。解決了擇優(yōu)腐蝕液含有重金屬鉻對環(huán)境和人體有害的問題。
聲明:
“檢測氧化堆垛層錯的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)