本發(fā)明揭示了一種硅納米線生物檢測(cè)
芯片的結(jié)構(gòu)及制造方法,該結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底、生長在半導(dǎo)體襯底上的二氧化硅隔離層、生長在二氧化硅隔離層上的
多晶硅層和生長在多晶硅層上的結(jié)構(gòu)層;其中,多晶硅層中包括圖形化形成的硅納米線陣列;結(jié)構(gòu)層的結(jié)構(gòu)為從下至上依次包括SiON層、TaN層和/或Ta2O5層,且TaN層和/或Ta2O5層僅覆蓋于硅納米線陣列中各硅納米線的表面。因此,本發(fā)明不僅解決了硅納米線陣列(SiNW)在保存應(yīng)用中存在的容易受污染的問題,且能使生物芯片經(jīng)受Na、K、Fe、Cu和Ca等離子的擴(kuò)散污染的考驗(yàn),以及PH值等多種化學(xué)因素的影響,即實(shí)現(xiàn)了檢測(cè)的高穩(wěn)定性。
聲明:
“用于硅納米線生物檢測(cè)芯片的結(jié)構(gòu)及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)