本發(fā)明涉及一種近紅外量子點單光子源的制備方法及檢測方法,目的是為了解決單量子點產(chǎn)生單光子的過程中會發(fā)生俄歇電離或者載流子俘獲,從而造成單量子點熒光輻射出現(xiàn)熒光中斷甚至熒光淬滅等現(xiàn)象的技術(shù)問題。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種近紅外量子點單光子源的制備方法,包括以下步驟:將蓋玻片表面進行清潔;對蓋玻片表面進行氨基功能化處理;將近紅外單量子點通過化學(xué)鍵固定在蓋玻片上;將單量子點浸沒在保護劑中;加蓋另外的一個蓋玻片防止保護劑的蒸發(fā)和隔離外界環(huán)境的影響;本發(fā)明通過保護劑薄膜有效地消除近紅外單量子點的電離態(tài)來有效地抑制近紅外單量子點的熒光輻射中斷和光漂白,從而使量子點產(chǎn)生穩(wěn)定的單光子輻射。
聲明:
“近紅外量子點單光子源的制備方法及檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)