本發(fā)明屬于
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及利用光譜探測技術(shù)確定等離子體組分指導(dǎo)等離子輔助制備摻雜半導(dǎo)體材料的方法。利用光譜儀測量氣體源的射頻等離子體光發(fā)射譜,分析等離子體的化學(xué)組分。通過調(diào)節(jié)氣體源流量改變生長室壓力,調(diào)節(jié)射頻功率等促進(jìn)對實驗有利的組分增加,減少其他組分的不利影響,選擇最佳實驗條件制備N摻雜的p型ZnO。本發(fā)明通過光譜儀測量等離子體的光發(fā)射譜,可實時了解并控制調(diào)節(jié)等離子體的化學(xué)組分,對提高等離子體輔助生長半導(dǎo)體材料尤其摻雜生長的質(zhì)量及可控性具有重要作用。同時可提高材料的可重復(fù)性,向ZnO基發(fā)光器件的實現(xiàn)邁進(jìn)了重要一步。
聲明:
“指導(dǎo)等離子體輔助制備半導(dǎo)體材料的光譜探測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)