本發(fā)明公開(kāi)了一種原子尺度下動(dòng)態(tài)觀測(cè)III?V族場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵介質(zhì)失效的方法，所述III?V族是指具有高遷移率材料銦砷化鎵。所述方法包括：制備適用于透射電子顯微鏡的樣品和納米鎢探針；將所制得的樣品搭載在專用銅網(wǎng)上，將原位樣品桿放入透射電子顯微鏡中；將納米鎢探針與樣品柵極接觸；然后在納米鎢探針和銅網(wǎng)之間加恒定電場(chǎng)；操作透射電鏡實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)地觀測(cè)樣品形貌和電流變化過(guò)程；通過(guò)能譜進(jìn)行局域化學(xué)元素分析，與未損壞之前的樣品的能譜信息做比較，分析失效原因。本發(fā)明能夠?qū)ζ骷У倪^(guò)程定點(diǎn)定量進(jìn)行分析，找到失效的位置、狀態(tài)和其變化過(guò)程，分析器件的失效機(jī)理，得到解決措施。原位透射電鏡的方法無(wú)損，實(shí)時(shí)，有高分辨率，比其他光譜檢測(cè)先進(jìn)。