本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種基于壓力測量模塊的原子層沉積設(shè)備。所述原子層沉積設(shè)備,包括真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件、控制部件和沉積室;沉積室內(nèi)設(shè)有壓力測量模塊,壓力測量模塊與控制部件電連接。本發(fā)明還提供一種基于壓力測量模塊的原子層沉積設(shè)備的使用方法。本發(fā)明通過采用壓力測量模塊可使氣體流量和化學(xué)試劑利用率得到極好的平衡,減少化學(xué)試劑的浪費以及后期尾氣可能造成的污染;同時通過對清理氣體流量的調(diào)節(jié),可有效的降低清除氣體停留時間和化學(xué)試劑的去除時間,進而降低沉積反應(yīng)周期時間,在短時間內(nèi)加工出所需厚度的膜層。
聲明:
“基于壓力測量模塊的原子層沉積設(shè)備及其使用方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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