本發(fā)明公開了一種紫外探測器制備方法及紫外探測器,其中,制備方法包括在預(yù)設(shè)襯底上依次生長成核層、緩沖層、犧牲層和目標(biāo)層;通過旋涂光刻技術(shù)對所述目標(biāo)層進行光刻,得到感光陣列;將所述感光陣列與背部電極進行原位鍵合,并通過對所述犧牲層進行
電化學(xué)腐蝕,制備得到目標(biāo)紫外探測器。本發(fā)明實施例能夠通過將原位鍵合與電化學(xué)剝離技術(shù)相結(jié)合,將氮化物外延陣列結(jié)構(gòu)從預(yù)設(shè)襯底上進行大面積的剝離,降低了面陣探測
芯片集成的成本和難度,可廣泛應(yīng)用于微電子技術(shù)領(lǐng)域。
聲明:
“紫外探測器制備方法及紫外探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)